具有多层结构的光电子器件制造技术

光电子器件包括由氢硅氧烷和包含式（Ⅰ）的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物，见右化学式其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、烯氧基、炔氧基、取代烯氧基、取代炔氧基、或其组合；Ａｒ↑［１］和Ａｒ↑［２］独立地为芳基或取代芳基；ｍ和ｎ独立地为０或１；且Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多层结构的光电子器件 对相关申请的交叉引用本申请是非临时的并要求2006年3月22日提交的美国临时申请系 列号60/784,750的优先权，其经此引用并入本文，并与和其在同一曰期 提交的名为"OPTOELECTRONIC DEVICES WITH MULTILAYERED STRUCTURES (具有多层结构的光电子器件)"的美国专利申请相关， 其经此引用并入本文。背景有机发光二极管(OLED)是多层光电子器件。OLED的当前商业基OLED的制造严重依靠气相沉积法。OLED的下 一 大的应用空间是一 般照明。为了符合一般照明的大体积/低成本要求，需要像辊对辊 (roll-to-roll)、报纸类印刷法这样的低成本制造。这种辊对辊制造使用 溶剂基方法，并因此将小分子换成良好的成膜聚合物。使用接连的溶剂 基沉积步骤的方法具有潜在问题，即用于涂施第二层的溶剂会除去第一 聚合物层。最初的聚合物基OLED是简单的三层器件，仅限于阴极、阳极和发 射层，从而使聚合物被溶剂除去的问题最小化。当然需要改进器件性能， 由此在OLED中必然需要附加的层。对附加层的需求又带回下方层被除去的问题；其中所有层本文档来自技高网...

【技术保护点】
由氢硅氧烷和包含式Ⅰ的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物　＊＊＊　Ⅰ　其中　Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、链烯氧基、炔氧基、取代链烯氧基、取 代炔氧基或其组合；　Ａｒ↑［１］和Ａｒ↑［２］独立地为芳基或取代芳基；　ｍ和ｎ独立地为０或１；且　Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JA塞拉，LN路易斯，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]