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一种半导体装置及其制造方法被揭露。半导体装置包括一基板、于基板之上的一隔离结构、于基板之上且突出于隔离结构的二鳍片以及于二鳍片上的一磊晶特征。磊晶特征包括二下部与一上部。二下部分别位于二鳍片上。上部位于二下部上，且连接二下部。上部具有与二下...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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