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本发明涉及作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离。具体的，本发明揭示一种方法，其包含：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；蚀刻所述隔离区的顶部部分，以在所述隔离区中形成凹陷部；和形成延伸到所述凹陷部中且与所述隔离区的下部分重叠的栅极堆叠。在所...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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