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本发明公开了一种整流器及其制作方法，该整流器的制作方法包括：在外延层内形成多个第一导电类型源区，并在所述第一导电类型源区内形成沟槽；依次形成第一栅氧化层和第一掺杂多晶硅；刻蚀所述第一掺杂多晶硅，且残留所述第一掺杂多晶硅覆盖所述沟槽底部的所述...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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