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本发明公开了一种光电集成多位阻变存储器及制备方法。该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy...
该专利属于北京有色金属研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。

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