一种光电集成多位阻变存储器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电集成多位阻变存储器及制备方法。该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy

Photoelectric integrated multi bit resistance change memory and preparation method

The invention discloses a photoelectric integrated multi bit resistance memory and a preparation method thereof. The memory is composed of a bottom electrode, a storage functional layer and a top electrode, wherein the bottom electrode, the storage functional layer and the top electrode form a crossed array structure, and the storage functional layer material is Dy

【技术实现步骤摘要】
一种光电集成多位阻变存储器及制备方法
本专利技术涉及一种光电集成多位阻变存储器及制备方法，属于微电子集成电路

技术介绍
根据国际半导体技术路线图(ITRS)对集成电路领域发展趋势的预测，到2020年左右，集成电路的特征尺寸将缩小到10纳米以下，这样传统的器件将面临一系列来自技术层面和物理极限的挑战。这时需要引入新的器件理念才能解决很多传统器件无法解决的问题，阻变存储器件就是其中最有前途的非易失性存储器件之一。阻变存储器件(RRAM)本身具有很多的优势。RRAM结构非常简单，生产成本低，通常只需要制备出类似电容结构的三层薄膜即可实现复杂的存储功能。阻变存储行为在各种材料中都有被发现，包括金属氧化物材料、固体电解质材料和有机材料。在众多材料中，简单氧化物由于结构简单、稳定性强等优点成为人们研究的热点。并且这些材料可以通过物理气相淀积(PVD)、化学气相淀积(MOCVD)或原子层淀积(ALD)等CMOS工艺中广泛采用的方法制备。此外，研究表明，阻变存储器件具有极好的等比缩小能力，在缩小至几个纳米的尺寸时仍能表现出良好的存储特性。高密度、低成本是集成电路包括存储器件发展的一个重要目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电集成多位阻变存储器，其特征在于：该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy

【技术特征摘要】
1.一种光电集成多位阻变存储器，其特征在于：该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy2O3，顶电极材料为金属Ta，底电极材料为金属Pt。2.根据权利要求1所述的光电集成多位阻变存储器，其特征在于：所述底电极的厚度为20nm-100nm。3.根据权利要求1所述的光电集成多位阻变存储器，其特征在于：所述顶电极材料的厚度为10nm-60nm。4.根据权利要求1所述的光电集成多位阻变存储器，其特征在于：所述存储功能层的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鸿滨，屠海令，魏峰，杨志民，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：北京,11