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本发明提供了一种3D NAND存储器件，包括：基底；基底上的第一存储区，第一存储区包括字线堆叠层以及字线堆叠层中的沟道孔，字线堆叠层的侧壁为阶梯结构；在阶梯结构中具有子阶梯区域，子阶梯区域为氧化物层和氮化物层的叠层，子阶梯区域沿字线方向延伸...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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