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一种制造半导体器件的方法包括在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽互相连通，第二沟槽可以形成得比第一沟槽宽；在第一沟槽的内表面之上和在第二沟槽的内表面之上形成内衬层；在内衬层之上形成覆盖层，以形成融合的悬垂部分和未融合的悬垂部分...
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