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一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：a)提供半导体表面(6’)，b)在所述表面(6’)上生长III‑V半导体纳米结构的第一部分(8)，c)用第一材料的层(9)覆盖所述第一部分(8)，d)去除所述第一材料的层(9)的顶部部分，从...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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