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本发明实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、源极区、漏极区、场板和栅电极。源极区具有第一导电类型，并且位于衬底内的第一侧。漏极区具有第一导电类型，并且位于与衬底内的第一侧相对的第二侧。场板位于场板上方且介于源极区和漏极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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