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本公开涉及用于在集成电路内制造JFET晶体管的方法及对应的集成电路。根据本发明的用于制造BiCMOS类型的集成电路(CI)的方法包括制造至少一个垂直结场效应晶体管(T1)，其包括形成具有通过光刻控制的有源表面(D)的临界尺寸的沟道区域(ZC...
该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司授权不得商用。

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