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一种侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法技术
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下载一种侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法的技术资料
文档序号:1571306
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本发明涉及一种有机高分子聚合物的制备方法,具体是指一种新型导电的侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法。本发明需要解决的技术问题是,以聚甲基氯甲基苯基硅烷、含腈乙基四硫代富瓦烯衍生物和CsOH.H↓[2]O原料,在有机溶剂存在下,制备侧...
该专利属于杭州师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过杭州师范大学授权不得商用。
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