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本发明公开了一种非易失性存储器件及其读取方法，所述非易失性存储器件包括第一选择晶体管、第二选择晶体管以及串联耦接在第一选择晶体管与第二选择晶体管之间的多个存储器单元。所述非易失性存储器件的读取方法包括以下步骤：施加读取电压到选中的存储器单元...
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