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本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，在图形衬底上设计和制备对位标记点并外延生长GaN单层，利用对位标记点精确对位，在GaN单层的高位错密度区域上制备位错延伸阻止薄膜层，利用侧向外延技术，达到图形衬底上凸起和平面区域以上整个外延层...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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