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本发明公开了一种Ga2O3肖特基二极管器件结构与制造方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低和场板结构存在的寄生电容大的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、阳极电极；阳极与外延层接触...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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