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本发明公开了一种雪崩二极管的外延结构，涉及半导体制造技术领域，包括衬底，衬底的上方形成有光吸收层，光吸收层的上方形成有雪崩增益层，雪崩增益层的上方形成有锌扩散层，锌扩散层由InP材料构成，雪崩增益层由In...
该专利属于武汉光谷量子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷量子技术有限公司授权不得商用。

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