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本发明公开了一种超结器件，超结结构的N型柱由N型外延层组成，P型柱由填充于超结沟槽中的P型掺杂的氧化层组成；沟槽栅形成于N型柱的顶部；辅助沟槽栅形成于P型柱的顶部，辅助沟槽栅包括辅助栅极沟槽以及填充于辅助栅极沟槽中的辅助栅极多晶硅；辅助栅极...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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