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本发明公开了一种GaN基鳍栅增强型器件及其制作方法，主要解决现有同类器件阈值电压正漂小的问题。其制作过程为：1.在已有外延基片的GaN缓冲层上制作源、漏电极；2.刻蚀有源区形成电隔离；3.在源、漏极之间的有源区刻蚀一条条的纳米线沟道；4.在...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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