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三维半导体元件及其制造方法技术
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文档序号:15705744
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本发明公开了一种三维半导体元件,包括多条接地选择线区段分隔开地形成于一基板上,且这些接地选择线区段是彼此电性绝缘和相互平行地延伸,接地选择线区段是沿第一方向延伸;多个叠层结构垂直形成于接地选择线区段上,且各叠层结构包括交替叠层的半导体层和绝...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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