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本发明涉及功率半导体领域，特别涉及一种集成肖特基的MOSFET，包括MOSFET区域以及两个MOSFET区域之间的肖特基区域，所述肖特基区域的N型漂移区上表面中形成两个不连续的第二沟槽，所述两个第二沟槽内、所述第二沟槽上以及两个第二沟槽之间...
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