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本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括：提供形成有若干栅极结构的半导体衬底；沉积间隙壁材料层覆盖栅极结构以及半导体衬底的表面；刻蚀暴露的部分间隙壁材料层以形成位于NMOS区域内的栅极结构侧壁上的第一间隙壁；沉积牺牲材料...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。