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本发明公开了一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件，该SiC双沟槽型MOSFET器件有源区的原胞结构中设置有两个沟槽，分别是设置在原胞结构中心的栅沟槽和栅沟槽的外围的源沟槽；栅沟槽和源沟槽的底部四周均进行了与漂移区相反导电类型...
该专利属于北京世纪金光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京世纪金光半导体有限公司授权不得商用。

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