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本发明涉及一种电荷耦合功率MOSFET器件及其制造方法，包括有源区、栅极引出区和终端保护区；有源区和栅极引出区设有第一沟槽，终端保护区设有第二沟槽；第一沟槽内的第一导电多晶硅和第二导电多晶硅由第二绝缘氧化层隔离，第二导电多晶硅与第一沟槽内壁...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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