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本发明涉及一种双槽UMOSFET器件。该器件包括衬底区(1)；漂移区(2)、外延层(3)、源区(4)，依次层叠于衬底区(1)的上表面；栅极，设置于漂移区(2)、外延层(3)及源区(4)内部并位于双槽UMOSFET器件的中间位置处；栅介质保护...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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