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本发明公开了一种MOS器件的栅氧化层结构，所述MOS器件位于衬底中，由STI或者场氧隔离，衬底中包含有LDD区，所述源区及漏区位于LDD中，LDD区之间为MOS器件的沟道；沟道上的衬底表面为栅氧化层及多晶硅栅极，多晶硅栅极之上覆盖氮化硅硬掩...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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