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本发明提供了一种具有不对称结构的晶体管的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；形成覆盖部分所述第二半导体层的第一掩膜结构，在所述第一掩膜结构的第一侧形成第二掩膜结构；对所述第一掩...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。