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本发明提供一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、两个N型源端及之间的P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道两侧是栅氧层，栅氧层旁边是多晶硅，多...该专利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。