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本发明提出了一种降低SOI衬底电容效应的衬底结构及其制备方法，在SOI衬底中形成浅沟槽隔离，并形成沟槽贯穿所述浅沟槽隔离及氧化层，在沟槽中形成富陷阱层，使其与衬底相连，富陷阱层能够进行自由载流子的捕获，避免造成SOI衬底电容特性异常；此外，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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