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本发明公开了一种超结器件，超结器件单元包括：沟槽栅，形成于N型柱顶部；在沟槽栅两侧形成有沟道区；源区形成于所述沟道区表面，漏区形成于超结结构的底部；在沟槽栅的底部形成有P型表面埋层，P型表面埋层和沟槽栅的底部接触且P型表面埋层的宽度小于栅极...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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