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本发明提供一种基于III‑V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法，包括：有源矩阵驱动硅基背板，包括若干个驱动单元；LED微像素阵列，位于有源矩阵驱动硅基背板表面，包括若干个LED微像素；各LED微像素均包括发光材料层及阳极，各L...
该专利属于张希娟所有，仅供学习研究参考，未经过张希娟授权不得商用。

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