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本发明提供了一种导电桥半导体器件及其制备方法。该导电桥半导体器件自下而上包括：下电极、阻变功能层、离子阻挡层和活性上电极，其中，离子阻挡层上开设有供活性导电离子通过的孔洞。基于此结构可以制备导电桥阻变存储器以及导电桥选择器，通过调控离子阻挡...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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