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一种三维存储器及其形成方法，其中，三维存储器包括：衬底，所述衬底包括相邻的器件区和连接区；位于所述器件区和连接区衬底上的多个分立的叠层结构，所述叠层结构包括多层重叠的栅极；位于相邻叠层结构之间的器件区衬底上的隔离层；位于所述连接区衬底上的连...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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