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本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延...
该专利属于现代自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代自动车株式会社授权不得商用。

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