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一种半导体结构的制造方法，包括：形成包括第一区域和第二区域的衬底、凸出于第一区域衬底的第一鳍部和凸出于第二区域衬底的第二鳍部；在第一鳍部形成第一伪栅结构，包括栅氧化层和第一伪栅电极层，在第二鳍部形成第二伪栅结构，包括伪栅氧化层和第二伪栅电极...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。