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本发明提供一种存储元件的制造方法，包括提供具有第一区与第二区的衬底。形成第一介电层于第一区的衬底上。形成导体层于第二区的衬底上。导体层的顶面低于第一介电层的顶面。形成第二介电层于衬底上。移除部分第二介电层与部分导体层，以形成第一开口于第二区...
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