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本发明提供一种纳米孪晶铜布线层的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备第一钝化层，并于第一钝化层内形成用于与基片上器件结构互联的互联窗口；2）于第一钝化层表面及互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成光刻胶层，在光刻胶层内形成定义出纳米孪晶...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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