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一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于衬底表面的伪栅氧化层以及位于伪栅氧化层上的伪栅极；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构的侧壁表面，且所述介质层表面暴露出所述伪栅极结...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。