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用于形成半导体器件的方法包括形成非晶或多晶半导体层，该非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻。该方法还包括在形成非晶或多晶半导体层期间或之后将掺杂物结合到该非晶或多晶半导体层中。该方法还包括退火非...
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