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本发明涉及一种SiC双槽UMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底连续表面生长漂移层、外延层及源区层；对所述源区层、所述外延层及所述漂移层进行刻蚀形成栅槽；对所述栅槽进行离子注入形成栅介质保护区；对所述...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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