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本发明提供了半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体(MOS)晶体管和介电层。MOS晶体管包括在衬底上方形成的栅极结构。介电层形成在栅极结构旁边，并且该介电层掺杂有应变调节剂。应变调节剂的晶格常数大于介电层的原子的晶格...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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