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本发明涉及一种微纳米级晶片测试探头及制备方法，其中方法包括：使用主离子源轰击金属靶材在工件的衬底表面上形成金属层，所述金属层包括位于测试区内的测试圆点、位于引线区内的引出焊盘以及两者之间的连接线；使用主离子源轰击绝缘靶材在工件的测试圆点之外...
该专利属于北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司授权不得商用。

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