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本发明提供一种用于制造纳米线的沟槽结构，包括：衬底；衬底上的沟槽，沟槽为介质材料；沟槽中的Si或Ge的半导体诱导层，其中，半导体诱导层上表面上形成有掩盖层，半导体诱导层在沟槽中具有{111}面。通过该结构，能够生长出的III-V族材料晶体具...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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