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本发明提供一种晶片厚度测量装置及其测量方法，其至少包括：测量平台及放置于所述测量平台上的支架，所述测量平台用于放置若干个待测晶片，所述支架上设置有用于测量晶片厚度的若干个测量表，其特征在于：所述厚度测量装置用于同时测量所述若干个待测晶片，所...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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