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文档序号:15621692
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提供一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器包括:第一沟道层,形成在衬底之上且沿垂直方向延伸;第一层叠结构,包括沿第一沟道层交替层叠的多个第一层间电介质层和多个第一栅电极层;第一存储层,插置在第一沟道层与第一栅电极层之间;第二沟道层,形...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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