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电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存技术
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文档序号:15620797
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本发明提供一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存。电阻式记忆胞的写入方法包括下列步骤。提供参考电压至电阻式记忆胞的位线。提供第一电压至电阻式记忆胞的字符线,且提供第二电压至电阻式记忆胞的源极线。第一电压不随着第二电压的逐次调高而提高其电压值...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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