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本实用新型属于纳米阵列的多量子阱的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括生长在La...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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