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本发明的实施例提供了一种制造FinFET的方法,至少包括以下步骤。图案化半导体衬底以在半导体衬底中形成多个沟槽并且在沟槽之间形成至少一个半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体。在半导体鳍的部分上方和隔离件的部分上方形成栅极堆叠件。在半导体鳍的通过栅极...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明的实施例提供了一种制造FinFET的方法,至少包括以下步骤。图案化半导体衬底以在半导体衬底中形成多个沟槽并且在沟槽之间形成至少一个半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体。在半导体鳍的部分上方和隔离件的部分上方形成栅极堆叠件。在半导体鳍的通过栅极...