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本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层...
该专利属于三星电子株式会社;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;国际商业机器公司授权不得商用。

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