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本发明提供压电振子以及压电振动装置，压电振子(13)为具备振动部(15)的压电振子(13)，振动部(15)具有Si层(22)，该Si层(22)是作为简并半导体的n型的Si层(22)，且具有0.5mΩcm以上0.9mΩcm以下的电阻率。...
该专利属于株式会社村田制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所授权不得商用。

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