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本说明书涉及包括至少一个源极/漏极结构的氮化镓晶体管，该源极/漏极结构具有在氮化镓晶体管的2D电子气与源极/漏极结构之间的低接触电阻。低接触电阻可以是源极/漏极结构的至少一部分作为邻接2D电子气的单晶结构的结果。在一个实施例中，单晶结构与用...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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